ZALKAL-Präsenz auf der ICNS-15#
Auf der 15. International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) in Malmö, Schweden, vom 6.-11. Juli 2025 wird das Applikationslabor ZALKAL mit mehreren Vorträgen vertreten sein. Durch die Auslegung für den UV-Spektralbereich, ist die Charakterisierung von (Al,Ga)N Schichten und Heterostrukturen einer der Schwerpunkte der derzeitigen Arbeit von ZALKAL. Folgende Beiträge des ZALKAL Teams wurden als Vortrag angenommen:
Aidan Campbell: „Multimicroscopy study of charge carrier dynamics in highly uniform (In,Ga)N layers“
Dr. Kagiso Loeto: „High-Resolution Cathodoluminescence Imaging of AlGaN Deep-UV Quantum Wells“
Domenik Spallek: „Local strain introduced by single threading dislocations in GaN studied by electron backscatter diffraction and cathodoluminescence spectroscopy“
Dr. Jonas Lähnemann: „Dislocation correlations in GaN epitaxial films revealed by high-resolution electron backscatter diffraction“
