Unser Artikel über kubisches GaN wurde auf der Titelseite von J. Appl. Phys. vorgestellt

Der vom PDI in Zusammenarbeit mit der Arbeitsgruppe von Prof. Sangam Chatterjee und Dr. Jörg Schörmann von der Universität Giessen veröffentlichte Artikel „Cubic InGaN for red emission: Improved phase stability and emission properties by metal-modulated epitaxy“[1] wurde für die Titelseite der 22. Ausgabe 2025 der Zeitschrift Journal of Applied Physics ausgewählt. Diese Arbeit beinhaltet CL-Messungen von Aidan Campbell an Proben von Silas Jentsch und Mario Zscherp. Ortsaufgelöste CL ermöglichte hierbei den Ursprung einer zweiten Emissionsbande in den Spektren zu verstehen. Der Artikel wurde darüber hinaus auf dem Nachrichtenportal Semiconductors Today aufgegriffen.

[1]

Silas A. Jentsch, Mario F. Zscherp, Aidan F. Campbell, Markus Stein, Matthew Chia, Donat J. As, Jonas Lähnemann, Sangam Chatterjee, and Jörg Schörmann. Cubic InGaN for red emission: Improved phase stability and emission properties by metal-modulated epitaxy. J. Appl. Phys., 138(22):225702, December 2025. doi:10.1063/5.0305390.

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