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Unser Artikel über kubisches GaN wurde auf der Titelseite von J. Appl. Phys. vorgestellt
- 08 Januar 2026
Der vom PDI in Zusammenarbeit mit der Arbeitsgruppe von Prof. Sangam Chatterjee und Dr. Jörg Schörmann von der Universität Giessen veröffentlichte Artikel „Cubic InGaN for red emission: Improved phase stability and emission properties by metal-modulated epitaxy“[1] wurde für die Titelseite der 22. Ausgabe 2025 der Zeitschrift Journal of Applied Physics ausgewählt. Diese Arbeit beinhaltet CL-Messungen von Aidan Campbell an Proben von Silas Jentsch und Mario Zscherp. Ortsaufgelöste CL ermöglichte hierbei den Ursprung einer zweiten Emissionsbande in den Spektren zu verstehen. Der Artikel wurde darüber hinaus auf dem Nachrichtenportal Semiconductors Today aufgegriffen.
Unser Artikel über AlN-Lumineszenz wurde auf der Titelseite von APL Materials veröffentlicht
- 01 September 2023
Der vom PDI in Zusammenarbeit mit der Arbeitsgruppe von Prof. Debdeep Jena an der Cornell University veröffentlichte Artikel „Excitonic and deep-level emission from N- and Al-polar homoepitaxial AlN grown by molecular beam epitaxy“[1] wurde für die Titelseite der Augustausgabe der Zeitschrift APL Materials ausgewählt. Diese Arbeit beruht auf Messungen im Rahmen des DAAD Rise Pro Aufenthalts von Len van Deurzen am PDI im Herbst 2023 und hat wichtige Impulse für die Spezifikation der Optik und Detektoren von ZALKAL im UV Spektralbereich gegeben.
