Unser Artikel über AlN-Lumineszenz wurde auf der Titelseite von APL Materials veröffentlicht

Der vom PDI in Zusammenarbeit mit der Arbeitsgruppe von Prof. Debdeep Jena an der Cornell University veröffentlichte Artikel „Excitonic and deep-level emission from N- and Al-polar homoepitaxial AlN grown by molecular beam epitaxy“[1] wurde für die Titelseite der Augustausgabe der Zeitschrift APL Materials ausgewählt. Diese Arbeit beruht auf Messungen im Rahmen des DAAD Rise Pro Aufenthalts von Len van Deurzen am PDI im Herbst 2023 und hat wichtige Impulse für die Spezifikation der Optik und Detektoren von ZALKAL im UV Spektralbereich gegeben.

[1]

L. Van Deurzen, J. Singhal, J. Encomendero, N. Pieczulewski, C. S. Chang, Y. Cho, D. A. Muller, H. G. Xing, D. Jena, O. Brandt, and J. Lähnemann. Excitonic and deep-level emission from N- and Al-polar homoepitaxial AlN grown by molecular beam epitaxy. APL Mater., 11(8):081109, August 2023. arXiv:2305.10542, doi:10.1063/5.0158390.

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